DIL測試碳化硅的燒結(jié)過程
簡介
碳化硅(SiC)是由硅和碳組成的陶瓷,人造的碳化硅作為研磨料,商品名為金剛砂,也可作為半導(dǎo)體材料和碳硅寶石。最常見類型是α-碳化硅,其合成溫度超過2000°C,結(jié)構(gòu)呈六方晶系。另一種β-碳化硅呈面心立方結(jié)構(gòu),制備溫度通常低于2000°C,但商業(yè)價值不高。碳化硅的比重為3.2g/cm3,熔點溫度高達2700°C,呈化學(xué)惰性,熱膨脹系數(shù)很低,并且不會發(fā)生相轉(zhuǎn)變,非常適合用作高溫軸套和爐體材料。
測試條件
溫度范圍:1000…2200°C
樣品長度:18.66mm
校正標樣:Poco 石墨
升溫速率:5K/min
氣氛:He
測試結(jié)果
上圖是碳化硅生坯(主要是由SiC粉末和燒結(jié)助劑混合而成)在1000°C到2200°C下熱膨脹測試曲線,呈兩步燒結(jié)步驟。第一步燒結(jié)收縮速率在1313°C達到最大,這是因為燒結(jié)助劑的減少。第二步收縮速率在1817°C達到最大,這是由于坯體的收縮/致密化造成的。該例說明使用DIL 402測量超過2000°C的陶瓷燒結(jié)過程是*沒有問題。
編譯:
朱明峰
曾智強
電話
微信掃一掃